Walter H. Brattain

amerikanischer Physiker; Nobelpreis 1956 für Physik zusammen mit W. B. Shockley und J. Bardeen für die Schaffung wissenschaftlicher Grundlagen, die zur Verwendung von Transistoren anstelle von Elektronenröhren in Rundfunkgeräten, Hörapparaten und EDV-Anlagen führte; mit seinen Forschungsarbeiten zur Halbleitertechnik wurde B. zum "Vater des Transistors"

* 10. Februar 1902 Amoy (China)

† 13. Oktober 1987 Seattle/WA

Wirken

Walter Houser Brattain wurde in China geboren, wo sein Vater, ein amerikanischer Lehrer, damals an einer Schule unterrichtete. B. verbrachte Kindheit und Jugend im US-Bundesstaat Washington. Er besuchte das Whitman College und setzte anschließend sein Physikstudium an der Universität von Oregon fort (B.S. 1924) und promovierte schließlich 1929 an der Universität von Minnesota in Minneapolis zum Ph.D.

Von 1928 bis 1929 war B. im Bureau of Standards in Washington, D.C., tätig, wo er sich bereits dem Studium der Elektronenstrahlung erhitzter Gegenstände widmete. Diese Arbeiten setzte er ab 1929 im technischen Stab der bekannten Bell Telephone Laboratories in New Jersey fort, für die er zunächst bis 1941 und dann wieder von 1944 bis 1967 tätig war. Seine Arbeit an Thermionen und das Studium der Elektronenmission von heißen Oberflächen führte zu größerer Kenntnis des Effekts der "Absorbed Films" (mit einem Häutchen überzogene Filme) auf die ...